中国芯片悄悄超车 世界排名第二 仅次于美国
- 科技快讯
- 2天前
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9月1日，韩国科学技术评估与规划研究院发布《2025 全球半导体技术竞争力报告》，一份原本给韩国政府“照镜子”的文件，却在中国朋友圈刷了屏，因为结论太直白：除美国外，中国已把韩国甩在身后。
报告把 17 项细分技术拆成 100 分制，中国拿了13项第一、3 项第二、1 项第三，韩国仅在 DRAM、NAND、HBM 三项传统存储里守住“老本”。这让很多消费者疑惑：三星不是刚量产 3 nm 吗？怎么就被“超车”了？下面用 3 组数据、2 个场景、1 份选购建议，把这份报告翻译成普通人能看懂的语言。
一、先看成绩单：中国到底在哪领先
| 技术领域 | 中国得分 | 韩国得分 | 领先点 |
|---|---|---|---|
| 高密度电阻存储（RRAM） | 94.1% | 90.9% | 存算一体 AI 芯片用得上 |
| AI 加速芯片 | 88.3% | 84.1% | 云端训练、车载推理 |
| 先进封装（2.5D/Chiplet） | 85.6% | 83.4% | 把不同工艺芯片“拼乐高” |
| 成熟制程 MCU | 91.7% | 79.2% | 家电、汽车控制芯片 |
总之，中国在“怎么把芯片拼在一起、怎么用芯片做 AI 算力”上跑得快；韩国仍强在“怎么把晶体管做小”。
二、韩国为何“被超车” 两个现实场景
场景 1：AI 芯片订单
某头部云厂商今年招标 AI 训练卡，华为昇腾 910B、寒武纪 MLU370 与英伟达 A800 同场竞技，最终国产方案拿下 40% 份额。韩国没有同级别产品，只能做旁观者。
某头部云厂商今年招标 AI 训练卡，华为昇腾 910B、寒武纪 MLU370 与英伟达 A800 同场竞技，最终国产方案拿下 40% 份额。韩国没有同级别产品，只能做旁观者。
场景 2：先进封装
苹果 M3 Ultra 采用台积电 CoWoS 封装，核心基板供应商里首次出现中国厂商。韩国三星虽也能做 3 nm，但在高阶封装产能排队到 2026 年，导致高通骁龙 8 Gen4 部分订单转向台积电南京厂。
苹果 M3 Ultra 采用台积电 CoWoS 封装，核心基板供应商里首次出现中国厂商。韩国三星虽也能做 3 nm，但在高阶封装产能排队到 2026 年，导致高通骁龙 8 Gen4 部分订单转向台积电南京厂。
三、消费者该怎么看
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买手机：旗舰 SoC 仍是三星 3 nm 代工，不用纠结； 中端机型已大量采用中芯国际 7 nm 衍生工艺，续航/发热表现与台积电 6 nm 差距缩小。
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买电脑/服务器：AI 训练卡：国产方案已能跑 70% 场景，非极限算力需求可优先国产，成本低 20%-30%；内存条：国产长鑫 DDR5 上市，价格比三星、海力士低 15%，日常办公差距肉眼不可辨。
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买新能源车： 车规 MCU、功率半导体中国已自给 60% 以上，韩系品牌溢价空间被压缩；韩系车厂开始采购比亚迪刀片电池，正是“技术流向”反转的缩影。
四、未来 3 年看点
2025 年：中国 2.5D 封装产能将占全球 35%，成为 AI 芯片“拼乐高工厂”； 2026 年：三星 2 nm 量产，但台积电南京厂 3 nm 扩产，中芯国际 5 nm 风险试产，差距继续缩小；2027 年：如果国产 HBM3E 良率突破 60%，韩系最后的“护城河”将出现裂缝。
总之，韩国报告给出的不是“中国芯片已无敌”，而是提醒在 AI 算力、先进封装、成熟制程这些“应用型赛道”，中国正用更快的工程迭代完成超车。对消费者而言，国产替代不再是情怀，而是看得见的价格优势与体验升级；对行业而言，全球半导体版图正悄悄重画。